| タイプ: | 試験機 | 精度クラス: | 高精度 |
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| 正確さ: | / | 応用: | 自動テスト |
| カスタマイズされたサポート: | OEM、ODM、OBM | 力: | --- |
| 保護クラス: | IP56 | 電圧: | 220V、その他 |
| 保証: | 1年 | データインターフェース: | MES システムのデータ接続をサポート |
| ハイライト: | 分光エリプソメータ 薄膜テスター,ナノフィルム厚さ測定機,分光エリプソメトリ 屈折率テスター |
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分光エリプソメーター 薄膜厚さ 屈折率測定器 ナノ薄膜厚さ測定装置
I. 概要
ESシリーズエリプソメーターは、紫外線、可視光、赤外線波長範囲をカバーする、研究および産業環境向けに設計された、LONROY製の高精度・高速アクセス分光エリプソメーターです。
高感度検出ユニットとエリプソメーター解析ソフトウェアに基づき、ESシリーズエリプソメーターは、単層および多層ナノ薄膜の層構造パラメータ(厚さなど)および物理パラメータ(屈折率n、消衰係数k、誘電関数ε1およびε2など)を測定するために使用されます。バルク材料の光学特性の測定にも使用できます。測定可能なサンプルは以下の通りです。
1) 単層および多層ナノ構造サンプルの膜厚dおよび物理パラメータ(屈折率n、消衰係数k、誘電関数ε1およびε2など)
2) バルク材料の物理パラメータ(屈折率n、消衰係数k、誘電関数ε1およびε2など)
3) サンプルの反射率R
4) サンプルの透過率T(固定角度またはマイクロスポットでの使用はサポートされていません)
5) 散乱モード測定(独立した自動角度変化が可能な02シリーズのみ)
さらに、本装置には強力な分光エリプソメトリー測定および解析ソフトウェアが搭載されています。
II. 技術的特徴
(1) 回転補償器測定技術:エリプソメトリー角度Δの測定範囲は0~360°で、ブラインドスポットがありません。ESは単回転補償器であり、サンプルのミュラー行列の全12要素を測定でき、粗面による減衰効果の影響を結果から排除します。
(2) 極めて高い長期精度:高速補償器回転と広帯域スーパーアクロマティック補償器を採用し、長期的な精度と信頼性を保証します。
(3) 原子層レベルの検出感度:単原子層の測定が可能です。
(4) ビデオベースのサンプルアライメント:サンプルを精密にアライメントし、観察を容易にし、人的エラーを削減します。
(5) マルチインシデントアングル調整:マルチインシデントアングル構造設計により、装置の測定柔軟性が向上し、特に超薄膜または複雑なサンプルの測定に適しています。
(6) 反射率/透過率測定:サンプルの分光反射率および透過率測定が可能です。
(7) ワンクリック装置操作:定常的な操作では、マウスを1回クリックするだけで、複雑な測定、モデリング、フィッティング、解析プロセスが完了します。豊富なモデルおよび材料ライブラリも、高度なユーザーのニーズに対応します。
III. 装置構成
3.1. 基本構成
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シリアル番号 |
モデル |
名称 |
主な技術パラメータ |
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1 |
ES |
分光エリプソメトリー本体 |
以下の主要コンポーネントが含まれます: 角度構造アセンブリ 光源アセンブリ 偏光光学アセンブリ サンプルアライメントアセンブリ 制御システムアセンブリ |
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2 |
ET-CON-5 |
制御コンピュータ |
モーション制御およびデータ解析計算用。構成は以下以上である必要があります:i5 CPU、8GB RAM、21インチカラーディスプレイ、Windows 10システム。 |
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3 |
C7 |
装置制御ボックス |
装置のモーション制御などに使用されます。 |
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4 |
ETES |
専用オペレーション&解析ソフトウェア |
装置のセットアップ、操作、測定、データ解析、出力に使用されます。 |
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5 |
NFS-SiO2 / Si |
標準ナノ薄膜ウェーハサンプル |
結晶シリコン上に酸化シリコン(SiO2/Si)を堆積させたもの。直径4インチ、膜厚100nm。 |
3.2. 一般的に使用されるオプションアクセサリー
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番号 |
モデル |
名称 |
主な技術パラメータ |
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X1a |
F-U-200 |
マイクロスポットコンポーネント |
マイクロライトスポットの直径(短軸):200μm(使用にはX2オートフォーカスアクセサリーが必要です) |
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X2a |
オートフォーカス |
Z軸自動フォーカスシステム |
ストローク:0~10mm。 |
分光エリプソメーター 薄膜厚さ 屈折率測定器 ナノ薄膜厚さ測定装置
IV. 技術仕様
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一般仕様 |
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スペクトル範囲 |
245~1000 nm;カスタムスペクトル範囲はリクエストに応じて利用可能 |
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入射角 |
(F)固定入射角;デフォルト角度:65° |
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性能仕様 |
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測定繰り返し性* |
Si標準ウェーハ上の100 nm SiO2膜の場合:膜厚繰り返し性0.005 nm、屈折率繰り返し性0.0002 |
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単回測定時間 |
標準的な測定時間:1~2秒 |
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光学・機械コンポーネント |
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光源 |
高安定広帯域光源(タングステン・ハロゲンランプ、重水素・ハロゲンランプ) |
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スペクトル調整モード |
自動調整可能なスポットサイズ;最適なマッチングのための自動調整可能な積分時間 |
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偏光子/検光子 |
高品質偏光プリズム |
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測定スポット |
手動調整可能なスポット範囲:1~4 mm |
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スペクトル間隔 |
≤1000 nm帯域:1 nm |
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サンプルステージ |
垂直調整範囲:10 mm(手動);2D傾斜調整範囲:±2°(手動);真空吸着対応;最大サンプルサイズ:8インチ(200 mm);カスタムサイズも利用可能 |
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サンプルアライメント |
精密サンプルアライメント(高さおよび2D傾斜)のための自動コリメータ望遠鏡&顕微鏡;電子ビデオ画像アライメント |
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検出器 |
高感度低ノイズスペクトル検出器 |
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制御キャビネット |
回路基板、マイクロ制御ユニット、電源などを備えた分割シャーシ |
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コンピュータ |
オペレーティングシステムを備えた高品質コンピュータ |
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ソフトウェア |
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インターフェース言語 |
中国語/英語を含む多言語サポート;デフォルトは中国語 |
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権限管理 |
装置管理のための管理者およびオペレーターの権限レベル |
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操作モード |
ワンクリック定常測定モード(初心者向け); l複雑な材料解析のための高度解析モード |
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スペクトル測定 |
l光学コンポーネントの方位角の自動設定; lユーザー定義タスクの手動/自動実行; l標準エネルギーまたは波長単位で表示されるスペクトル; lオンラインψおよびΔ表示によるサンプルの応答のリアルタイム監視 |
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測定結果出力 |
lミュラー行列11要素およびその他の出力形式(N、C、S); l膜厚d、屈折率n、消衰係数k; l誘電関数ε; lエリプソメトリー角度ψ、Δ; l減衰p; l透過率T(固定角度装置およびレーザー測定ではサポートされていません); l反射率R; l生データを変更せずに波長/角度データを切り抜き; lマルチアングルデータマージ機能; ltanψ、cosΔなどの表現形式 |
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モデリング&フィッティング |
l多層構造(単層膜、複合膜、周期的に交互配置された多層膜)のフィッティングが可能 lユーザーフレンドリーで拡張可能な材料データベース l豊富な材料光学定数リスト lCauchy、Sellmeier、Lorentz、Drude、F-B、B-spline、Tauc-Lorentzなどの様々な材料分散モデルを含む。 l超格子構造のモデリングと解析 lEMA実効媒体の近似解析 l各膜層は均一膜、界面、粗面などとして考慮可能 l複数の入射角測定からの複合データの解析 l光学モデルと測定データの高速回帰フィッティングアルゴリズム l測定データとシミュレーションデータの同時グラフィカル表示 |
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シミュレーション |
lサンプルの楕円率角度ψおよびΔのシミュレーション計算 lサンプルの透過率Tおよび反射率Rのシミュレーション計算 |
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結果表示 |
lフィッティングされたグラフを表示 l2Dおよび3Dレンダリング画像 l高度なレポート作成、測定および計算されたスペクトル、光学モデル、フィッティングパラメータの出力 |
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ファイル管理 |
包括的なファイル管理機能を備えたWindowsベースのソフトウェア |
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データインターフェース |
MESシステムデータ接続対応 |
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コンタクトパーソン: Kaitlyn Wang
電話番号: 19376687282
ファックス: 86-769-83078748