LONROY ICP06 Máquina de gravação de plasma indutivamente acoplada ICP Aparelho de gravação de plasma Laboratório ICP + RIE Sistema de processamento de gravação

LONROY ICP06 Máquina de gravação de plasma indutivamente acoplada ICP Aparelho de gravação de plasma Laboratório ICP + RIE Sistema de processamento de gravação

I. Visão geral do equipamento

O sistema de gravação por plasma indutivamente acoplado (ICP+RIE) ICP06 emprega principalmente flúor

gases baseados combinados com oxigênio e argônio. Através da ação sinérgica do acoplamento indutivo

descarga e descarga de acoplamento de radiofrequência capacitiva, o plasma é gerado dentro da reação

câmara. Os radicais livres reativos resultantes reagem quimicamente na superfície do filme, enquanto voláteis

os subprodutos são removidos pelos gases de exaustão e os íons carregados bombardeiam fisicamente a superfície do filme.

Esses dois mecanismos melhoram mutuamente o desempenho da gravação para alcançar a morfologia ideal do filme.

1.1 Princípio de funcionamento:

O gravador ICP consegue gravação a seco de alta precisão através de plasma acoplado indutivamente

tecnologia, que opera com base no princípio fundamental da utilização de um eletromagnético de alta frequência

campo ético para excitar a ionização de gás e formar plasma, combinado com gases reativos para material

gravura. Especificamente, uma fonte de energia de alta frequência (normalmente 13,56 MHz) aplica

corrente para uma bobina de indução, gerando um campo magnético variável no tempo que ioniza gases inertes, como

argônio para produzir plasma. Dentro da câmara de reação, este plasma de alta densidade reage com gases

como CF4 e SF6, permitindo a gravação de materiais através de bombardeio físico e químico

reações.

Durante o processo de gravação, o plasma acoplado indutivamente controla a densidade do plasma, enquanto

o plasma acoplado capacitivamente regula a energia dos íons, permitindo o ajuste preciso do plasma para

modificar a morfologia e a taxa de gravação.

Os materiais de substrato adequados para gravação por uma máquina de gravação dependem do tipo de plasma

empregado; apenas aqueles materiais capazes de reagir com íons específicos no plasma para formar substâncias voláteis

os compostos podem sofrer ataque rápido e eficiente. Com base no tipo de gás de processo, a gravação

os métodos são geralmente categorizados em ataque à base de oxigênio, à base de flúor e à base de cloro.

Este equipamento foi projetado especificamente para processos de gravação com gás à base de flúor ou menos corrosivos.

Esta tecnologia combina as características da gravação por plasma e da gravação por íons reativos,

oferecendo vantagens como operação em baixa pressão e alta densidade de plasma.

1.2 Características do produto:

1,Câmara de vácuo em liga de alumínio, fabricada através de moldagem integral com excelente desempenho de vedação e

resistência superior à corrosão.

2,A descarga acoplada sensivelmente e a descarga acoplada à radiofrequência capacitiva funcionam juntas (ou podem ser usadas separadamente).

3,Interface touchscreen com controles fáceis de usar e exibição em tempo real dos parâmetros do processo

4,Armazene múltiplas entradas de dados de fórmulas de processo; recupere-os conforme necessário. Os dados são rastreáveis.

5,Equipado com 6 canais de gás independentes, facilitando a investigação de como diferentes proporções de gás afetam a limpeza

eficácia.

6,O estágio de gravação do dispositivo possui um mecanismo de elevação e pode ser ajustado em diferentes alturas usando gases de concentrações variadas para um desempenho ideal do processo.

1.3 Principais Aplicações:

1. Fabricação de semicondutores: gravação em metal de alumínio / tungstênio e fabricação de energia GaN

dispositivos.

2. Dispositivos MEMS: Fabricação de microestruturas de sensores.

3. Dispositivos optoeletrônicos: gravação de LEDs baseados em GaN.

4. Campo de Pesquisa: Gravura de Precisão da Camada Atômica de Materiais Bidimensionais

Diagramas de Dimensões Externas do Equipamento e Cavidade Internaé

 Acessórios padrão

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Especificação Técnica