LONROY ICP06 Machine de gravure au plasma coupée par induction ICP Appareil de gravure au plasma Laboratoire ICP+RIE Système de traitement de la gravure

LONROY ICP06 Machine de gravure au Plasma à couplage inductif appareil de gravure au Plasma ICP système de traitement de gravure ICP + RIE de laboratoire

I. Aperçu de l'équipement

Le système de gravure au plasma à couplage inductif ICP06 (ICP+RIE) utilise principalement du fluor

à base de gaz combinés à l'oxygène et à l'argon. Grâce à l'action synergique du couplage inductif

Décharge et décharge de couplage radiofréquence capacitif, le plasma est généré au sein de la réaction

chambre. Les radicaux libres réactifs qui en résultent réagissent chimiquement à la surface du film, tout en étant volatils.

les sous-produits sont éliminés via les gaz d'échappement et les ions chargés bombardent physiquement la surface du film.

Ces deux mécanismes améliorent mutuellement les performances de gravure pour obtenir une morphologie de film optimale.

1.1 Principe de fonctionnement :

Le graveur ICP réalise une gravure sèche de haute précision grâce à un plasma à couplage inductif

technologie, qui fonctionne sur le principe fondamental de l'utilisation d'un électromagnétique à haute fréquence

champ étique pour exciter l'ionisation du gaz et former un plasma, combiné avec des gaz réactifs pour le matériau

gravure. Plus précisément, une source d'alimentation haute fréquence (généralement 13,56 MHz) applique une

courant vers une bobine d'induction, générant un champ magnétique variable dans le temps qui ionise les gaz inertes tels que

de l'argon pour produire du plasma. Dans la chambre de réaction, ce plasma haute densité réagit avec les gaz

comme le CF4 et le SF6, permettant la gravure de matériaux par bombardement physique et chimique

réactions.

Pendant le processus de gravure, le plasma à couplage inductif contrôle la densité du plasma, tandis que

Le plasma à couplage capacitif régule l'énergie ionique, permettant un ajustement précis du plasma à

modifier à la fois la morphologie et la vitesse de gravure.

Les matériaux de substrat adaptés à la gravure par une machine de gravure dépendent du type de plasma

employé; seuls les matériaux capables de réagir avec des ions spécifiques dans le plasma pour former des substances volatiles

les composés peuvent subir une gravure rapide et efficace. En fonction du type de gaz de procédé, gravure

les méthodes sont généralement classées en gravure à base d’oxygène, à base de fluor et à base de chlore.

Cet équipement est spécialement conçu pour les procédés de gravure à base de fluor ou de gaz moins corrosifs.

Cette technologie combine les caractéristiques de la gravure plasma et de la gravure ionique réactive,

offrant des avantages tels qu'un fonctionnement à basse pression et une densité de plasma élevée.

1.2 Caractéristiques du produit :

1,Chambre à vide en alliage d'aluminium, fabriquée par moulage intégral avec d'excellentes performances d'étanchéité et

résistance supérieure à la corrosion.

2,La décharge couplée sensible et la décharge couplée capacitive par radiofréquence fonctionnent ensemble (ou peuvent être utilisées séparément).

3,Interface à écran tactile avec commandes conviviales et affichage en temps réel des paramètres du processus

4,Stockez plusieurs entrées de données de formule de processus ; récupérez-les au besoin. Les données sont traçables.

5,Équipé de 6 canaux de gaz indépendants, facilitant l'étude de la manière dont différents ratios de gaz affectent le nettoyage

efficacité.

6,L'étape de gravure du dispositif est dotée d'un mécanisme de levage et peut être ajustée à différentes hauteurs à l'aide de gaz de concentrations variables pour des performances de processus optimales.

1.3 Applications principales :

1. Fabrication de semi-conducteurs : gravure métallique sur aluminium/tungstène et fabrication de puissance GaN

appareils.

2. Dispositifs MEMS : Fabrication de microstructures de capteurs.

3. Dispositifs optoélectroniques : gravure de LED à base de GaN.

4. Domaine de recherche : Gravure de précision de la couche atomique de matériaux bidimensionnels

Schémas des dimensions externes de l'équipement et de la cavité intérieures

 Accessoires standards

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Spécification technique