ΛΟΝΡΟΥ ΙΚΠ06 Μηχανή χαρακτικής πλάσματος με επαγωγικό συνδυασμό ΙΚΠ Συσκευή χαρακτικής πλάσματος Εργαστήριο ΙΚΠ+ΙΡΙΕ Σύστημα επεξεργασίας χαρακτικής

LONROY ICP06 Inductively Coupled Plasma Etching Machine ICP Plasma Etching Apparatus Lab ICP+RIE Etching Processing System

I. Επισκόπηση εξοπλισμού

Το σύστημα ICP06 Inductively Coupled Plasma Etching (ICP+RIE) χρησιμοποιεί κυρίως φθόριο

αέρια με βάση σε συνδυασμό με οξυγόνο και αργό. Μέσω της συνεργιστικής δράσης της επαγωγικής σύζευξης

εκκένωση και εκφόρτιση χωρητικής σύζευξης ραδιοσυχνοτήτων, δημιουργείται πλάσμα εντός της αντίδρασης

θάλαμος. Οι προκύπτουσες δραστικές ελεύθερες ρίζες αντιδρούν χημικά στην επιφάνεια του φιλμ, ενώ είναι πτητικές

Τα υποπροϊόντα απομακρύνονται μέσω των καυσαερίων και τα φορτισμένα ιόντα βομβαρδίζουν φυσικά την επιφάνεια του φιλμ.

Αυτοί οι δύο μηχανισμοί βελτιώνουν αμοιβαία την απόδοση χάραξης για να επιτευχθεί η βέλτιστη μορφολογία του φιλμ.

1.1 Αρχή εργασίας:

Η εγχάρακτη ICP επιτυγχάνει ξηρή χάραξη υψηλής ακρίβειας μέσω επαγωγικά συζευγμένου πλάσματος

τεχνολογία, η οποία λειτουργεί με βάση τη θεμελιώδη αρχή της χρήσης ηλεκτρομαγνήτη υψηλής συχνότητας

ηλεκτρικό πεδίο για να διεγείρει τον ιονισμό του αερίου και να σχηματίσει πλάσμα, σε συνδυασμό με αντιδραστικά αέρια για υλικό

χαλκογραφία. Συγκεκριμένα, μια πηγή ισχύος υψηλής συχνότητας (συνήθως 13,56 MHz) εφαρμόζεται εναλλάξ

ρεύμα σε ένα πηνίο επαγωγής, δημιουργώντας ένα χρονικά μεταβαλλόμενο μαγνητικό πεδίο που ιονίζει αδρανή αέρια όπως π.χ.

αργό για την παραγωγή πλάσματος. Μέσα στον θάλαμο αντίδρασης, αυτό το πλάσμα υψηλής πυκνότητας αντιδρά με αέρια

όπως το CF4 και το SF6, επιτρέποντας τη χάραξη υλικού τόσο μέσω φυσικού βομβαρδισμού όσο και μέσω χημικών

αντιδράσεις.

Κατά τη διαδικασία χάραξης, το επαγωγικά συζευγμένο πλάσμα ελέγχει την πυκνότητα του πλάσματος, ενώ

Το χωρητικά συζευγμένο πλάσμα ρυθμίζει την ενέργεια ιόντων, επιτρέποντας την ακριβή προσαρμογή του πλάσματος σε

τροποποιήστε τόσο τη μορφολογία όσο και το ρυθμό χάραξης.

Τα υλικά του υποστρώματος που είναι κατάλληλα για χάραξη από μια μηχανή χάραξης εξαρτώνται από τον τύπο του πλάσματος

απασχολούνται? μόνο εκείνα τα υλικά που είναι ικανά να αντιδράσουν με συγκεκριμένα ιόντα στο πλάσμα για να σχηματίσουν πτητικά

Οι ενώσεις μπορούν να υποστούν ταχεία και αποτελεσματική χάραξη. Με βάση τον τύπο του αερίου διεργασίας, χάραξη

Οι μέθοδοι γενικά κατηγοριοποιούνται σε χάραξη με βάση το οξυγόνο, με βάση το φθόριο και τη χάραξη με βάση το χλώριο.

Αυτός ο εξοπλισμός έχει σχεδιαστεί ειδικά για διεργασίες χάραξης αερίων με βάση το φθόριο ή λιγότερο διαβρωτικό.

Αυτή η τεχνολογία συνδυάζει τα χαρακτηριστικά τόσο της χάραξης πλάσματος όσο και της χάραξης αντιδραστικών ιόντων,

προσφέροντας πλεονεκτήματα όπως λειτουργία σε χαμηλή πίεση και υψηλή πυκνότητα πλάσματος.

1.2 Χαρακτηριστικά προϊόντος:

1,Θάλαμος κενού από κράμα αλουμινίου, κατασκευασμένος μέσω ενσωματωμένης χύτευσης με εξαιρετική απόδοση στεγανοποίησης και

ανώτερη αντοχή στη διάβρωση.

2,Η ευαίσθητη συζευγμένη εκφόρτιση και η χωρητική συζευγμένη εκφόρτιση ραδιοσυχνοτήτων συνεργάζονται (ή μπορούν να χρησιμοποιηθούν χωριστά).

3,Διεπαφή οθόνης αφής με εύχρηστα χειριστήρια και προβολή παραμέτρων διεργασίας σε πραγματικό χρόνο

4,Αποθηκεύστε πολλαπλές καταχωρήσεις δεδομένων τύπου διεργασίας. ανακτήστε τα όπως απαιτείται. Τα δεδομένα είναι ανιχνεύσιμα.

5,Εξοπλισμένο με 6 ανεξάρτητα κανάλια αερίου, διευκολύνοντας τη διερεύνηση του τρόπου με τον οποίο οι διαφορετικές αναλογίες αερίου επηρεάζουν τον καθαρισμό

αποτελεσματικότητα.

6,Το στάδιο χάραξης της συσκευής διαθέτει μηχανισμό ανύψωσης και μπορεί να ρυθμιστεί σε διαφορετικά ύψη χρησιμοποιώντας αέρια ποικίλων συγκεντρώσεων για βέλτιστη απόδοση της διαδικασίας.

1.3 Κύριες εφαρμογές:

1. Κατασκευή ημιαγωγών: χάραξη μετάλλου αλουμινίου/βολφραμίου και κατασκευή ισχύος GaN

συσκευές.

2. Συσκευές MEMS: Κατασκευή μικροδομών αισθητήρων.

3. Οπτοηλεκτρονικές συσκευές: Χαλκογραφία LED που βασίζονται σε GaN.

4. Πεδίο Έρευνας: Χαλκογραφία Ακριβείας Ατομικής Στρώσης Δισδιάστατων Υλικών

Διαγράμματα Εξωτερικών Διαστάσεων Εξοπλισμού και Εσωτερικού Κοίλουμικρό

 Τυπικά αξεσουάρ

]

LONROY ICP06 Inductively Coupled Plasma Etching Machine ICP Plasma Etching Apparatus Lab ICP+RIE Etching Processing System

Τεχνική Προδιαγραφή