LONROY ICP06 Máy khắc plasma kết hợp cảm ứng ICP Máy khắc plasma Phòng thí nghiệm ICP+RIE Hệ thống xử lý khắc

LONROY ICP06 Máy khắc plasma ghép nối cảm ứng Thiết bị khắc plasma ICP Phòng thí nghiệm Hệ thống xử lý khắc plasma ICP + RIE

I. Tổng quan về thiết bị

Hệ thống khắc plasma kết hợp cảm ứng ICP06 (ICP+RIE) chủ yếu sử dụng flo

khí dựa trên kết hợp với oxy và argon. Thông qua hoạt động hiệp đồng của khớp nối cảm ứng

phóng điện và phóng điện ghép nối tần số vô tuyến điện dung, plasma được tạo ra trong phản ứng

buồng. Các gốc tự do phản ứng sinh ra sẽ phản ứng hóa học trên bề mặt màng, trong khi dễ bay hơi

sản phẩm phụ được loại bỏ thông qua khí thải và các ion tích điện bắn phá bề mặt màng.

Hai cơ chế này cùng nhau tăng cường hiệu suất ăn mòn để đạt được hình thái màng tối ưu.

1.1 Nguyên tắc làm việc:

Máy khắc ICP đạt được quá trình khắc khô có độ chính xác cao thông qua plasma kết hợp cảm ứng

Công nghệ hoạt động dựa trên nguyên lý cơ bản là sử dụng nam châm điện tần số cao

trường etic để kích thích quá trình ion hóa khí và tạo thành plasma, kết hợp với các khí phản ứng làm vật liệu

khắc. Cụ thể, nguồn điện tần số cao (thường là 13,56 MHz) áp dụng nguồn điện xoay chiều

dòng điện tới cuộn dây cảm ứng, tạo ra từ trường biến thiên theo thời gian làm ion hóa các khí trơ như

argon để tạo ra huyết tương. Trong buồng phản ứng, plasma mật độ cao này phản ứng với các chất khí

như CF4 và SF6, cho phép khắc vật liệu thông qua cả bắn phá vật lý và hóa học

phản ứng.

Trong quá trình khắc, plasma kết hợp cảm ứng sẽ kiểm soát mật độ plasma, trong khi

plasma kết hợp điện dung điều chỉnh năng lượng ion, cho phép điều chỉnh chính xác plasma để

sửa đổi cả hình thái và tốc độ khắc.

Vật liệu nền phù hợp để khắc bằng máy khắc phụ thuộc vào loại plasma

có việc làm; chỉ những vật liệu có khả năng phản ứng với các ion cụ thể trong plasma để tạo thành chất dễ bay hơi

các hợp chất có thể trải qua quá trình ăn mòn nhanh chóng và hiệu quả. Dựa trên loại khí xử lý, khắc

Các phương pháp thường được phân loại thành phương pháp khắc axit dựa trên oxy, dựa trên flo và dựa trên clo.

Thiết bị này được thiết kế đặc biệt cho các quy trình khắc khí dựa trên flo hoặc ít ăn mòn hơn.

Công nghệ này kết hợp các đặc tính của cả phương pháp khắc plasma và khắc ion phản ứng,

mang lại những lợi thế như hoạt động ở áp suất thấp và mật độ plasma cao.

1.2 Tính năng sản phẩm:

1,Buồng chân không hợp kim nhôm, được sản xuất thông qua đúc tích hợp với hiệu suất bịt kín tuyệt vời và

khả năng chống ăn mòn vượt trội.

2,Phóng điện kết hợp nhạy cảm và phóng điện kết hợp tần số vô tuyến điện dung phối hợp với nhau (hoặc có thể được sử dụng riêng).

3,Giao diện màn hình cảm ứng với các điều khiển thân thiện với người dùng và hiển thị các thông số quy trình theo thời gian thực

4,Lưu trữ nhiều mục nhập dữ liệu công thức quy trình; lấy chúng khi cần thiết. Dữ liệu có thể theo dõi được.

5,Được trang bị 6 kênh khí độc lập, tạo điều kiện thuận lợi cho việc điều tra xem các tỷ lệ khí khác nhau ảnh hưởng như thế nào đến việc làm sạch

hiệu quả.

6,Giai đoạn ăn mòn thiết bị có cơ chế nâng và có thể được điều chỉnh theo các độ cao khác nhau bằng cách sử dụng các loại khí có nồng độ khác nhau để có hiệu suất xử lý tối ưu.

1.3 Ứng dụng chính:

1. Sản xuất chất bán dẫn: khắc kim loại nhôm/vonfram và chế tạo nguồn GaN

thiết bị.

2. Thiết bị MEMS: Chế tạo vi cấu trúc cảm biến.

3. Thiết bị quang điện tử: Khắc đèn LED dựa trên GaN.

4. Lĩnh vực nghiên cứu: Khắc chính xác lớp nguyên tử của vật liệu hai chiều

Sơ đồ kích thước bên ngoài và khoang bên trong của thiết bịS

 Phụ kiện tiêu chuẩn

]

LONROY ICP06 Máy khắc plasma ghép nối cảm ứng Thiết bị khắc plasma ICP Phòng thí nghiệm Hệ thống xử lý khắc plasma ICP + RIE

Thông số kỹ thuật