Das induktiv gekoppelte Plasmaätzsystem ICP06 (ICP+RIE) verwendet hauptsächlich Fluor
basierte Gase kombiniert mit Sauerstoff und Argon. Durch die synergistische Wirkung der induktiven Kopplung
Bei der Entladung und der kapazitiven Hochfrequenz-Kopplungsentladung wird bei der Reaktion Plasma erzeugt
Kammer. Die dabei entstehenden reaktiven freien Radikale reagieren chemisch an der Filmoberfläche und sind dabei flüchtig
Nebenprodukte werden über das Abgas entfernt und geladene Ionen bombardieren die Filmoberfläche physisch.
Diese beiden Mechanismen verbessern gegenseitig die Ätzleistung, um eine optimale Filmmorphologie zu erreichen.
1.1 Funktionsprinzip:
Der ICP-Ätzer erreicht hochpräzises Trockenätzen durch induktiv gekoppeltes Plasma
Technologie, die auf dem Grundprinzip der Nutzung eines hochfrequenten Elektromagneten basiert
etisches Feld zur Anregung der Gasionisation und Bildung von Plasma, kombiniert mit reaktiven Gasen für Material
Radierung. Konkret wird abwechselnd eine Hochfrequenzstromquelle (typischerweise 13,56 MHz) angelegt
Strom wird an eine Induktionsspule geleitet und erzeugt ein zeitlich veränderliches Magnetfeld, das Inertgase wie z
Argon zur Plasmaerzeugung. In der Reaktionskammer reagiert dieses hochdichte Plasma mit Gasen
wie CF4 und SF6, die das Ätzen von Material sowohl durch physikalischen als auch chemischen Beschuss ermöglichen
Reaktionen.
Während des Ätzprozesses steuert induktiv gekoppeltes Plasma die Plasmadichte
Kapazitiv gekoppeltes Plasma reguliert die Ionenenergie und ermöglicht so eine präzise Anpassung des Plasmas
Ändern Sie sowohl die Ätzmorphologie als auch die Ätzrate.
Welche Substratmaterialien zum Ätzen mit einer Ätzmaschine geeignet sind, hängt von der Art des Plasmas ab
beschäftigt; Nur solche Materialien können mit bestimmten Ionen im Plasma reagieren und flüchtige Stoffe bilden
Verbindungen können schnell und effizient geätzt werden. Basierend auf der Art des Prozessgases Ätzen
Die Methoden werden im Allgemeinen in sauerstoffbasiertes, fluorbasiertes und chlorbasiertes Ätzen eingeteilt.
Diese Ausrüstung ist speziell für fluorbasierte oder weniger korrosive Gasätzprozesse konzipiert.
Diese Technologie kombiniert die Eigenschaften von Plasmaätzen und reaktivem Ionenätzen.
bietet Vorteile wie Niederdruckbetrieb und hohe Plasmadichte.
1.2 Produktmerkmale:
1,Vakuumkammer aus Aluminiumlegierung, hergestellt durch integrales Formen mit ausgezeichneter Dichtungsleistung und
überlegene Korrosionsbeständigkeit.
2,Die empfindlich gekoppelte Entladung und die kapazitive hochfrequenzgekoppelte Entladung arbeiten zusammen (oder können separat verwendet werden).
3,Touchscreen-Oberfläche mit benutzerfreundlichen Bedienelementen und Echtzeitanzeige der Prozessparameter
4,Speichern Sie mehrere Dateneinträge für Prozessformeln. Rufen Sie sie nach Bedarf ab. Daten sind nachvollziehbar.
5,Ausgestattet mit 6 unabhängigen Gaskanälen, die die Untersuchung erleichtern, wie sich unterschiedliche Gasverhältnisse auf die Reinigung auswirken
Wirksamkeit.
6,Die Ätzstufe des Geräts verfügt über einen Hebemechanismus und kann mit Gasen unterschiedlicher Konzentration auf unterschiedliche Höhen eingestellt werden, um eine optimale Prozessleistung zu erzielen.
1.3 Hauptanwendungen:
1. Halbleiterherstellung: Ätzen von Aluminium/Wolfram-Metall und Herstellung von GaN-Strom
Geräte.
2. MEMS-Geräte: Herstellung von Sensormikrostrukturen.
3. Optoelektronische Geräte: Ätzen von GaN-basierten LEDs.
4. Forschungsgebiet: Präzisionsätzen zweidimensionaler Materialien auf atomarer Ebene
Diagramme der Außenabmessungen der Ausrüstung und des InnenhohlraumsS
Ihre Nachricht muss zwischen 20 und 3.000 Zeichen enthalten!
German
