LONROY ICP06 Mesin Etching Plasma Induktively Coupled ICP Peralatan Etching Plasma Laboratorium ICP+RIE Sistem Pengolahan Etching

LONROY ICP06 Mesin Etsa Plasma Gabungan Induktif Peralatan Etsa Plasma ICP Lab ICP + Sistem Pengolahan Etsa RIE

I. Ikhtisar Peralatan

Sistem ICP06 Induktif Ditambah Plasma Etching (ICP+RIE) terutama menggunakan fluor

gas berbasis dikombinasikan dengan oksigen dan argon. Melalui aksi sinergis kopling induktif

pelepasan dan pelepasan kopling frekuensi radio kapasitif, plasma dihasilkan dalam reaksi

ruangan. Radikal bebas reaktif yang dihasilkan bereaksi secara kimia pada permukaan film dan mudah menguap

produk sampingan dihilangkan melalui gas buang, dan ion bermuatan secara fisik membombardir permukaan film.

Kedua mekanisme ini saling meningkatkan kinerja etsa untuk mencapai morfologi film yang optimal.

1.1 Prinsip Kerja:

Pengetsaan ICP menghasilkan pengetsaan kering presisi tinggi melalui plasma yang digabungkan secara induktif

teknologi, yang beroperasi berdasarkan prinsip dasar memanfaatkan elektromagnet frekuensi tinggi

medan etik untuk merangsang ionisasi gas dan membentuk plasma, dikombinasikan dengan gas reaktif untuk material

etsa. Secara khusus, sumber listrik frekuensi tinggi (biasanya 13,56 MHz) berlaku bolak-balik

arus ke kumparan induksi, menghasilkan medan magnet yang bervariasi terhadap waktu yang mengionisasi gas inert seperti

argon untuk menghasilkan plasma. Di dalam ruang reaksi, plasma berkepadatan tinggi ini bereaksi dengan gas

seperti CF4 dan SF6, memungkinkan pengetsaan material melalui pengeboman fisik dan kimia

reaksi.

Selama proses etsa, plasma yang digabungkan secara induktif mengontrol kepadatan plasma, sementara itu

plasma yang digabungkan secara kapasitif mengatur energi ion, memungkinkan penyesuaian plasma yang tepat

memodifikasi morfologi dan kecepatan etsa.

Bahan substrat yang cocok untuk etsa dengan mesin etsa bergantung pada jenis plasma

dipekerjakan; hanya bahan-bahan yang mampu bereaksi dengan ion spesifik dalam plasma untuk membentuk zat yang mudah menguap

senyawa dapat mengalami etsa yang cepat dan efisien. Berdasarkan jenis gas proses, etsa

metode umumnya dikategorikan menjadi etsa berbasis oksigen, berbasis fluor, dan berbasis klorin.

Peralatan ini dirancang khusus untuk proses etsa gas berbasis fluor atau yang tidak terlalu korosif.

Teknologi ini menggabungkan karakteristik etsa plasma dan etsa ion reaktif,

menawarkan keuntungan seperti operasi tekanan rendah dan kepadatan plasma tinggi.

1.2 Fitur Produk:

1,Ruang vakum paduan aluminium, diproduksi melalui cetakan integral dengan kinerja penyegelan yang sangat baik dan

ketahanan korosi yang unggul.

2,Pelepasan yang digabungkan secara sensitif dan pelepasan yang digabungkan dengan frekuensi radio kapasitif bekerja bersama (atau dapat digunakan secara terpisah).

3,Antarmuka layar sentuh dengan kontrol yang mudah digunakan dan tampilan parameter proses secara real-time

4,Menyimpan beberapa entri data rumus proses; mengambilnya sesuai kebutuhan. Data dapat dilacak.

5,Dilengkapi dengan 6 saluran gas independen, memfasilitasi penyelidikan tentang pengaruh rasio gas yang berbeda terhadap pembersihan

kemanjuran.

6,Tahap pengetsaan perangkat dilengkapi mekanisme pengangkatan dan dapat disesuaikan ke ketinggian berbeda menggunakan gas dengan konsentrasi berbeda-beda untuk kinerja proses yang optimal.

1.3 Aplikasi Utama:

1. Manufaktur semikonduktor: etsa logam aluminium/tungsten, dan fabrikasi tenaga GaN

perangkat.

2. Perangkat MEMS: Pembuatan struktur mikro sensor.

3. Perangkat Optoelektronik: Pengetsaan LED berbasis GaN.

4. Bidang Penelitian: Etsa Presisi Lapisan Atom pada Bahan Dua Dimensi

Diagram Peralatan Dimensi Eksternal dan Rongga InteriorS

 Aksesori standar

]

LONROY ICP06 Mesin Etsa Plasma Gabungan Induktif Peralatan Etsa Plasma ICP Lab ICP + Sistem Pengolahan Etsa RIE

Spesifikasi Teknis