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Datos del producto:
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| Tipo: | Máquina de prueba | Clase de precisión: | Alta precisión |
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| Exactitud: | / | Solicitud: | Prueba automática |
| soporte personalizado: | OEM, ODM, OBM | Fuerza: | --- |
| Clase de protección: | IP56 | Voltaje: | 220 voltios |
| Garantía: | 1 año | ||
| Resaltar: | Máquina de grabado por plasma ICP,Sistema de grabado ICP+RIE de laboratorio,grabador de plasma acoplado inductivamente |
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LONROY ICP06 Máquina de grabado de plasma acoplada por inducción ICP Aparato de grabado de plasma Laboratorio ICP+RIE Sistema de procesamiento de grabado
I. Resumen del equipo
El sistema ICP06 de grabado de plasma acoplado por inducción (ICP+RIE) utiliza principalmente flúor
La acción sinérgica del acoplamiento inductivo
descarga y descarga de acoplamiento capacitivo de radiofrecuencia, se genera plasma dentro de la reacción
Los radicales libres reactivos resultantes reaccionan químicamente en la superficie de la película, mientras que los volátiles
Los subproductos se eliminan a través de los gases de escape, y los iones cargados bombardean físicamente la superficie de la película.
Estos dos mecanismos mejoran mutuamente el rendimiento del grabado para lograr una morfología óptima de la película.
1.1 Principio de trabajo:
El grabador ICP logra grabado en seco de alta precisión a través de plasma acoplado inductivamente
La tecnología, que funciona con el principio fundamental de utilizar un electromagnético de alta frecuencia
campo ético para excitar la ionización de gases y formar plasma, combinado con gases reactivos para el material
Específicamente, una fuente de alimentación de alta frecuencia (normalmente 13,56 MHz) aplica alternando
corriente a una bobina de inducción, generando un campo magnético variable en el tiempo que ioniza gases inertes como
Dentro de la cámara de reacción, este plasma de alta densidad reacciona con los gases
como CF4 y SF6, lo que permite el grabado del material tanto a través del bombardeo físico como químico
las reacciones.
Durante el proceso de grabado, el plasma acoplado inductivamente controla la densidad del plasma, mientras que
El plasma acoplado capacitivamente regula la energía iónica, lo que permite un ajuste preciso del plasma a
Modificar la morfología y la velocidad de grabado.
Los materiales de sustrato adecuados para el grabado con una máquina de grabado dependen del tipo de plasma
Se emplean únicamente aquellos materiales capaces de reaccionar con iones específicos en el plasma para formar volátiles
Los compuestos pueden ser sometidos a un grabado rápido y eficiente.
Los métodos generalmente se clasifican en grabado a base de oxígeno, a base de flúor y a base de cloro.
Este equipo está diseñado específicamente para procesos de grabado de gas a base de flúor o menos corrosivos.
Esta tecnología combina las características del grabado por plasma y el grabado por iones reactivos.
ofreciendo ventajas como el funcionamiento a baja presión y la alta densidad de plasma.
1.2 Características del producto
1,Cámara de vacío de aleación de aluminio, fabricada mediante moldeo integral con un excelente rendimiento de sellado y
Resistencia a la corrosión superior.
2,Las descargas acopladas de sensibilidad y las descargas acopladas de radiofrecuencia capacitiva funcionan juntas (o pueden usarse por separado).
3,Interfaz de pantalla táctil con controles fáciles de usar y visualización en tiempo real de los parámetros del proceso
4,Almacenar múltiples entradas de datos de fórmulas de proceso; recuperarlos según sea necesario.
5,Equipado con 6 canales de gas independientes, lo que facilita la investigación de cómo las diferentes proporciones de gas afectan a la limpieza
la eficacia.
6,La etapa de grabado del dispositivo cuenta con un mecanismo de elevación y puede ajustarse a diferentes alturas utilizando gases de diferentes concentraciones para un rendimiento óptimo del proceso.
1.3 Principales aplicaciones:
1Fabricación de semiconductores: grabado de metal de aluminio/tungsteno y fabricación de energía de GaN
los dispositivos.
2Dispositivos MEMS: Fabricación de microstructuras de sensores.
3Dispositivos optoelectrónicos: grabado de LEDs basados en GaN.
4- Área de investigación: grabado de precisión de capas atómicas de materiales bidimensionales
Diagrama de las dimensiones exteriores y de la cavidad interior del equipoel
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Accesorios estándar
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LONROY ICP06 Máquina de grabado de plasma acoplada por inducción ICP Aparato de grabado de plasma Laboratorio ICP+RIE Sistema de procesamiento de grabado
Especificación técnica
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Persona de Contacto: Kaitlyn Wang
Teléfono: 19376687282
Fax: 86-769-83078748