Meja Rapid Annealing Oven 6 inci Wafer Rapid Annealing Oven Presisi Tinggi Wafer Rapid Annealing Oven Tes Lab Ma

LRP-Table-6 adalah tungku penggilingan cepat wafer desktop 6 inci yang menggunakan dua lapisan lampu halogen inframerah sebagai sumber panas untuk memanaskan rongga kuarsa internal untuk isolasi termal,dan cangkang rongga adalah paduan aluminium yang didinginkan air, sehingga produk dipanaskan secara merata dan suhu permukaan rendah.

LRP-Table-6 dikendalikan oleh algoritma PID, dan sistem dapat dengan cepat menyesuaikan daya output lampu halogen inframerah, membuat kontrol suhu lebih akurat.

Fitur produk

1.Pemanasan lampu halogen inframerah dua lapisan, pendinginan nitrogen cepat;

2.Lampu yang dikembangkan sendiri diatur dalam kelompok untuk membuat keseragaman suhu lebih baik;

3.Dikendalikan oleh algoritma PID, daya keluar lampu disesuaikan secara real time;

4.Akun pengguna dibagi menjadi tiga tingkat izin untuk memfasilitasi manajemen informasi;

5.Antarmuka utama perangkat lunak dapat menampilkan gas, suhu, vakum dan parameter lainnya secara real time;

6.Sistem secara otomatis menyimpan informasi yang relevan dari setiap proses;

7.Mengidentifikasi informasi kesalahan secara otomatis, dan melindungi perangkat secara otomatis ketika ada kelainan:

8.Deteksi overheating: Suhu paduan aluminium yang didinginkan dengan air di dalam rumah rongga melebihi 70 °C

9.Deteksi termokopel: Selama proses sistem, nilai pemantauan termokopel tidak sesuai dengan pengaturan

10.Deteksi pemanasan: Daya keluar yang tidak normal saat dipanaskan

11.Deteksi kunci pintu tungku: apakah kunci pintu terkunci sebelum setiap proses

12.Deteksi gas: tekanan gas melebihi kisaran yang ditetapkan, tekanan gas terlalu besar atau terlalu kecil

13.Deteksi aliran air: Tingkat aliran air masuk lebih rendah dari nilai default

14.Deteksi kebocoran air: Kebocoran air terdeteksi

15.Saklar pemutusan darurat: Cepat hentikan proses dan potong sumber panas

LRP-Tabel-6 Aplikasi Industri

1.Penggilingan IMP

2.Penggilingan cepat setelah lapisan ITO

3.Oksida

4.Pertumbuhan nitrida

5.Penggilingan paduan silikida

6.Proses gallium arsenide

7.Paduan cepat kontak ohmic

8.refluks oksidasi

9.Proses pengolahan panas cepat semikonduktor lainnya