logo
Dom ProduktyMaszyna do badań laboratoryjnych

Procesor powierzchniowy plazmatyczny o szerokiej powierzchni Aktywacja powierzchniowa Oczyszczacz plazmy Maszyna do badań laboratoryjnych

Orzecznictwo
CHINY DONGGUAN LONROY EQUIPMENT CO LTD Certyfikaty
CHINY DONGGUAN LONROY EQUIPMENT CO LTD Certyfikaty
Im Online Czat teraz

Procesor powierzchniowy plazmatyczny o szerokiej powierzchni Aktywacja powierzchniowa Oczyszczacz plazmy Maszyna do badań laboratoryjnych

Wide Plasma Surface Processor Surface Activation Treatment Plasma cleaner Lab Test Machine
Wide Plasma Surface Processor Surface Activation Treatment Plasma cleaner Lab Test Machine

Duży Obraz :  Procesor powierzchniowy plazmatyczny o szerokiej powierzchni Aktywacja powierzchniowa Oczyszczacz plazmy Maszyna do badań laboratoryjnych

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: CHINY
Nazwa handlowa: Lonroy
Orzecznictwo: ISO ASTM CE
Numer modelu: SPK-500s
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1
Cena: Negotaible
Szczegóły pakowania: Drewniany pakiet
Czas dostawy: 5-8 dni roboczych
Zasady płatności: L/C, D/A, D/P, T/T, ZARZĄDENIE WESTOLA
Możliwość Supply: 200

Procesor powierzchniowy plazmatyczny o szerokiej powierzchni Aktywacja powierzchniowa Oczyszczacz plazmy Maszyna do badań laboratoryjnych

Opis
Wymiar: L1800 × W1107 × H1408 mm Waga: 280kg
Zasilanie: Prąd zmienny 220 V/50 Hz Proces leczenia: 800mm
Rozmiar głowy włóczni: L570*W90*H74mm Waga głowy włóczni: 10 kg
Podkreślić:

Szerokopowierzchniowy procesor plazmowy

,

maszyna do obróbki aktywacji powierzchni

,

oczyszczacz plazmy do badań laboratoryjnych

Procesor z szeroką plazmą, aktywacja powierzchni, Środek do czyszczenia plazmy, laboratoryjna maszyna testowa

Obróbka aktywacyjna powierzchni procesora o szerokiej powierzchni plazmowej

1. Zarys
Szeroka maszyna do czyszczenia plazmowego SPK-500S (czyszczarka plazmowa), gaz jest rozdzielany do stanu plazmowego poprzez zasilacz wzbudzenia, a plazma ACTS na powierzchni produktu oczyszcza zanieczyszczenia z powierzchni produktu, aby poprawić aktywność powierzchniową i zwiększyć przyczepność. Czyszczenie plazmowe to nowa, przyjazna dla środowiska, wydajna i stabilna obróbka powierzchni.

 

2. Cecha produktu
1. Pomiędzy metalowymi elektrodami umieszcza się dielektryk i wytwarza się jednolite pole elektryczne oraz generowana jest plazma, wykorzystując zjawisko polaryzacji na powierzchni dielektryka.
2. Może wytwarzać plazmę na dużą skalę i może być stosowany z automatycznym rurociągiem;
3. Bardziej niezawodny wzmacniacz mocy i moduł prądu stałego, wykorzystujący automatyczny dopasowujący kondensator próżniowy, aby zapewnić długoterminową gwarancję stabilnego czasu procesu;
4. Nadaje się do masowej produkcji produktów o dużych rozmiarach;
5. Niska temperatura obróbki, konwencjonalna temperatura obróbki < 40°C

 

3. Zastosowanie branżowe
1. Przemysł displayowy: montaż TP, aktywacja powierzchni paneli, czyszczenie powierzchni przed powlekaniem ITO;
2. Przemysł osłon szklanych: wstępna obróbka powłoki AF, usuwanie powłoki przelewowej AF/AS, drukowanie atramentu;
3. Półprzewodnik: zintegrowane łączenie pakietów, wstępna obróbka drutu, opakowanie ceramiczne, aktywacja powierzchni BGA/LED;
4. Płytka drukowana: czyszczenie organiczne FPC/PCB i aktywacja powierzchni;
5. Przemysł tworzyw sztucznych: modyfikacja powierzchni, zgrubienie powierzchni.

 

4. Specyfikacja sprzętu


Szeroki gospodarz plazmowy
Specyfikacja maszyny Dł. 1800 × szer. 1107 × wys. 1408 mm
Waga 280 kg

Planowanie wymagań
Jednofazowy AC 220 V/50 Hz, 2,5 kW
Specyfikacja generatora plazmy
MOC Regulacja w zakresie 0-600 W
Częstotliwość sieciowa 13,56 MHz
Dopasowujący
W pełni automatyczny moduł dopasowujący kondensator próżniowy
 
Specyfikacja głowicy pistoletu plazmowego
Proces leczenia 800mm
Rozmiar główki włóczni Dł.570*szer.90*wys.74mm
Waga 10 kg

Głowicę pistoletu można regulować na wysokość
 
0-10 mm (dokładność regulacji ± 0,3)

Typowa wysokość przetwarzania
 

Od 1 do 5 mm lub mniej
 

Zakres chłodzenia głowicy pistoletu
 
25-35°C
Gaz procesowy
Zastosowanie gazu Ar z O2 Gaz dwukierunkowy
Zakres regulacji gazu Ar

 
≤50 l/min
Zakres regulacji gazu O2

 
≤50SCCM
Specyfikacja rurociągu
Prędkość rurociągu
Możliwość regulacji w zakresie 0-100 mm/s
 
Pas podający 1,5 mln
Materiał paska odporność na poślizg PU
Indukcja i alarm
System czujników Indukcja kart i laminacji oraz zatrzymanie awaryjne
  Z funkcją alarmu dźwiękowego i świetlnego

 

2.2 Specyfikacje fabryczne

Wymagania dotyczące środowiska instalacji
Zapotrzebowanie na zasilanie Jednofazowy AC 220 V/50 Hz, 2,5 kW

Hvac, argon (Ar)
ciśnienie: 0,3-0,8Mpa
przepływ: 15-50L/min
czystość: 99,99%
Urządzenia tlenowe (O2) ciśnienie: 0,1-0,5Mpa

przepływ: 0-100 mL/min
czystość: 99,99%
Odprawa serwisowa 100cm

 

2.3 Wymagania ogólne

Wymagania ogólne
Identyfikacja ryzyka Identyfikacja zagrożeń związanych z wysokim ciśnieniem
Środowisko usług temperatura: 15~30°C
wilgotność: 30 ~ 70%
Inne sprawy wymagające uwagi Brak gazów palnych, gazów korozyjnych, wybuchów i reaktywnych pyłów

 

Lista konfiguracji
Numer seryjny Nazwa Model i specyfikacja Ilość Uwaga
1 Moc plazmy 0-600 W 1  
2
Jednostka dopasowująca plazmę
 
dopasowanie 1  
3 Linia montażowa
Długość 1800 mm * szerokość 520 mm

 
1  
4 PLC Sterowniki Panasonica 1  
5 Urządzenia niskonapięciowe
Konwencjonalne urządzenie elektryczne

 
1  
6 Przepływomierz Ar i O2 2  
7 Maszyna do wody chłodzącej 450 W, 5-35°C 1  
8
Głowa plazmowa
 
R500 1  

 

Lista materiałów eksploatacyjnych
Numer seryjny Nazwa Model i specyfikacja Ilość Czas życia
1 wanna ceramiczna ceramika 1 4000-6000 godzin
2 Płyta Chi R500-02 1 6000-10000 godzin
3 elektroda R500-01 1 15000 godzin

 

Rysunki wymiarowe wyposażenia:

Procesor powierzchniowy plazmatyczny o szerokiej powierzchni Aktywacja powierzchniowa Oczyszczacz plazmy Maszyna do badań laboratoryjnych

Procesor powierzchniowy plazmatyczny o szerokiej powierzchni Aktywacja powierzchniowa Oczyszczacz plazmy Maszyna do badań laboratoryjnych

Szczegóły kontaktu
DONGGUAN LONROY EQUIPMENT CO LTD

Osoba kontaktowa: Kaitlyn Wang

Tel: 19376687282

Faks: 86-769-83078748

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)